| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IPP80N06S3L-08 |
TO-220-3 | Infineon Technologies | 168 | 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923 询价QQ：  |
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IPP80N06S3L-08参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 包装数量：500 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：55V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.9 毫欧 @ 43A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 55µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：134nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6475pF @ 25V 功率 - 最大值：105W 安装类型：通孔 |
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热门型号： Card EdgeEMM22DRTH 通孔电阻器RSF2JTR750 芯片电阻 - 表面PLT1206Z5560LBTS FET - 单IXFR180N15P 陶瓷电容器6R3R18X335KV4E 共模扼流圈B82614R2202A30 芯片电阻 - 表面CRCW040268K0FKEDHP Card EdgeGEC36DRYS D-Sub，D 形8655MH0901LF 布线管，配线管道G.75X1.5LG72-A |
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